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APTM100DA18T1G供应商
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APTM100DA18T1G
- 制造厂商：Microchip（中文名：微芯科技）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SP1
- 技术参数：MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
- （专注销售Microchip电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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APTM100DA18T1G参数详情：
- 制造商产品型号：APTM100DA18T1G
- 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：1000V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：216 毫欧 @ 33A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：570nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：14800pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：657W（Tc）
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 器件封装：SP1
- APTM100DA18T1G的官网价格：停产，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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