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    JAN1N5518B-1
  • 制造厂商：Microchip（微芯科技）
  • 类别封装：二极管 - 齐纳 - 单，封装：DO-204AH，DO-35，轴向
  • 技术参数：DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：JAN1N5518B-1
  • 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
  • 描述：DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
  • 系列：二极管 - 齐纳 - 单
  • 零件状态：有源
  • 电压-齐纳（标称值）(Vz)：3.3V
  • 容差：±5%
  • 功率-最大值：500mW
  • 阻抗（最大值）(Zzt)：26 Ohms
  • 不同Vr时电流-反向泄漏：5A @ 1V
  • 不同If时电压-正向(Vf)：1.1V @ 200mA
  • 工作温度：-65°C ~ 175°C
  • 安装类型：通孔
  • 封装：DO-204AH，DO-35，轴向
  • JAN1N5518B-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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